Title
Radijaciona otpornost fleš memorija izrađenih u duboko-submikronskoj tehnologiji : doktorska disertacija
Creator
Dolićanin, Edin, 1981-
Copyright date
2012
Object Links
Select license
Autorstvo 3.0 Srbija (CC BY 3.0)
License description
Dozvoljavate umnožavanje, distribuciju i javno saopštavanje dela, i prerade, ako se navede ime autora na način odredjen od strane autora ili davaoca licence, čak i u komercijalne svrhe. Ovo je najslobodnija od svih licenci. Osnovni opis Licence: http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/rs/deed.sr_LATN Sadržaj ugovora u celini: http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/rs/legalcode.sr-Latn
Language
Serbian
Cobiss-ID
Theses Type
Doktorska disertacija
description
Datum odbrane: 28.12.2013.
Other responsibilities
mentor
Osmokrović, Predrag, 1949-
član komisije
Vujisić, Miloš
član komisije
Vasić-Milovanović, Aleksandra
član komisije
Blagojević, Vladimir, 1949-
član komisije
Kovačević, Branko, 1951-
Academic Expertise
Tehničko-tehnološke nauke
University
Univerzitet u Beogradu
Faculty
Elektrotehnički fakultet
Alternative title
Radiation resistance of flash memory manufactured in deep-submicron technology.
Publisher
[E. Dolićanin]
Format
PDF/A (192 lista)
description
Elektrotehnika - Nuklearna tehnika, elektrotehnički materijali / Electrical Engineering - Nuclear Engineering, Materials in Electrical Engineering
Abstract (sr)
U radu radijaciona otpornost fleš memorija izrañenih u duboko-submikronskoj
tehnologiji, razmatra se aktuelan problem pouzdanosti rada elektronskih memorija u
uslovima dejstva jonizujućeg zračenja. Rad je aktuelan pošto visoki stepen
minijaturizacije komponenata integrisanih u fleš memorije prouzrokovao izuzetnu
osetljivost ovog tipa memorija na efekte jonizujućeg zračenja. Efekti jonizujućeg
zračenja mogu biti takvi da dovedu do promene memorisanih podataka ili čak do
fizičkog uništenja samih komponenata.
Rad je teoretskog, eksperimentalnog i numeričkog karaktera. U uvodnim
poglavljima se navode osnovni podacio interakciji zračenja sa materijalom, definiše
doza zračenja, ukratko prikazuje metoda Monte - Karlo za simulaciju nuklearnih
interakcija, daju podaci o tipovima i konstruktivnim rešenjima ispitivanih fleš memorija.
U poglavlju u kome se govori o eksperimentu, ukratko su prikazana polja zračenja
Instituta za nuklearne nauke Vinča, gde je eksperimentalni deo rada rañen, i definisane
energije i doze primenjivanog zračenja. U poglavlju koje sledi dati su rezultati brojnih
autora, meñu kojima je bio i autor teze, o radijacionoj otpornosti MOSFETA sa
izolovanim gejtom, na kome se u osnovi, bazira funkcionisanje fleš memorija.
Nakon toga je data teorija radijacionih efekata na fleš memorije na kojima se
nalaze i originalna tumačenja ovih efekata. Na kraju rada su prikazani i prodiskutovani
eksperimentalno i numerički dobijeni efekti zračenja na konkretnim fleš memorijama.
Rezultati dobijeni realnim i numeričkim eksperimentom su pokazali dobro slaganje,
kako meñusobno, tako i sa teoretski očekivanim rezultatima.
Abstract (en)
Dissertation "Radiation Hardness of Flash Memories Fabricated in Deep
Submicron Technology" investigates the relevant problem of electronic memory
reliability under exposure to ionizing radiation. The dissertation is up-to-date because
the high degree of miniaturization of components integrated into flash memories makes
this type of memory very sensitive to ionizing radiation. Ionizing radiation effects can
cause changes in the stored content or even physical destruction of memory
components.
The dissertation is theoretical, experimental, and numerical in character.
Introductory chapters provide basic information about the interaction of radiation with
materials, state the definition of the absorbed dose, describe concisely the Monte Carlo
methods for simulating nuclear interactions, and provide data about the types and
construction details of the investigated flash memories. The chapter concerned with the
experiment gives a short depiction of radiation fields at the Vinča Institute of Nuclear
Sciences, where the experimental part was conducted, and defines the energies and
doses of utilized radiation. The next chapter provides results by several authors,
including the author of the dissertation, on the radiation hardness of MOSFETs with
insulated gates, which form the basis of flash memories.
The next part of the dissertation deals with the theory of radiation effects in flash
memories, including original explanations of these effects. The final part presents and
discusses the effects observed experimentally and numerically in specific flash
memories. Results from real and numerical experiments are in good agreement, both
with one another and with the theoretically anticipated values
Authors Key words
fleš memorija, MOSFET, radijaciona otpornost, Monte Karlo simulacija, doza zračenja
Authors Key words
flesh memory, MOSFET, radiation hardness, Monte Carlo simulation,radation dose
Classification
004.3
Type
Tekst
Abstract (sr)
U radu radijaciona otpornost fleš memorija izrañenih u duboko-submikronskoj
tehnologiji, razmatra se aktuelan problem pouzdanosti rada elektronskih memorija u
uslovima dejstva jonizujućeg zračenja. Rad je aktuelan pošto visoki stepen
minijaturizacije komponenata integrisanih u fleš memorije prouzrokovao izuzetnu
osetljivost ovog tipa memorija na efekte jonizujućeg zračenja. Efekti jonizujućeg
zračenja mogu biti takvi da dovedu do promene memorisanih podataka ili čak do
fizičkog uništenja samih komponenata.
Rad je teoretskog, eksperimentalnog i numeričkog karaktera. U uvodnim
poglavljima se navode osnovni podacio interakciji zračenja sa materijalom, definiše
doza zračenja, ukratko prikazuje metoda Monte - Karlo za simulaciju nuklearnih
interakcija, daju podaci o tipovima i konstruktivnim rešenjima ispitivanih fleš memorija.
U poglavlju u kome se govori o eksperimentu, ukratko su prikazana polja zračenja
Instituta za nuklearne nauke Vinča, gde je eksperimentalni deo rada rañen, i definisane
energije i doze primenjivanog zračenja. U poglavlju koje sledi dati su rezultati brojnih
autora, meñu kojima je bio i autor teze, o radijacionoj otpornosti MOSFETA sa
izolovanim gejtom, na kome se u osnovi, bazira funkcionisanje fleš memorija.
Nakon toga je data teorija radijacionih efekata na fleš memorije na kojima se
nalaze i originalna tumačenja ovih efekata. Na kraju rada su prikazani i prodiskutovani
eksperimentalno i numerički dobijeni efekti zračenja na konkretnim fleš memorijama.
Rezultati dobijeni realnim i numeričkim eksperimentom su pokazali dobro slaganje,
kako meñusobno, tako i sa teoretski očekivanim rezultatima.
“Data exchange” service offers individual users metadata transfer in several different formats. Citation formats are offered for transfers in texts as for the transfer into internet pages. Citation formats include permanent links that guarantee access to cited sources. For use are commonly structured metadata schemes : Dublin Core xml and ETUB-MS xml, local adaptation of international ETD-MS scheme intended for use in academic documents.