Title
Eksperimentalna karakterizacija i Monte Karlo simulacija dozimetrijskih parametara MOSFET strukture u poljima jonizujućeg zračenja
Creator
Stanković, Srboljub J., 1965-
Copyright date
2016
Object Links
Select license
Autorstvo-Nekomercijalno-Bez prerade 3.0 Srbija (CC BY-NC-ND 3.0)
License description
Dozvoljavate samo preuzimanje i distribuciju dela, ako/dok se pravilno naznačava ime autora, bez ikakvih promena dela i bez prava komercijalnog korišćenja dela. Ova licenca je najstroža CC licenca. Osnovni opis Licence: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/rs/deed.sr_LATN. Sadržaj ugovora u celini: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/rs/legalcode.sr-Latn
Language
Serbian
Cobiss-ID
Committee report
Theses Type
Doktorska disertacija
description
Datum odbrane: 29.09.2016.
Other responsibilities
mentor
Marinković, Predrag, 1951-
mentor
Tadić, Milan, 1964-
član komisije
Matović, Branko
član komisije
Drndarević, Vujo, 1953-
član komisije
Vujisić, Miloš, 1974-
Academic Expertise
Tehničko-tehnološke nauke
University
Univerzitet u Beogradu
Faculty
Elektrotehnički fakultet
Alternative title
Experimental characterization and monte carlo simulation of the dosimetric parameters of the mosfet structure in the fields of ionizing radiation.
Publisher
[S. J. Stanković]
Format
113 lista
description
Elektrotehnika - Nuklearna tehnika i fizička elektronika / Electrical Engineering - Nuclear Engineering and Physic Electronics
Abstract (sr)
Rezultati naučnih istraživanja pokazuju da jonizujuće zračenje može
dovesti do funkcionalnog ili trajnog oštećenja poluprovodničkih naprava
različitog tipa u ekstremnim radnim uslovima (u okruženju nuklearnog
reaktora, akceleratorske instalacije, nuklearne eksplozije ili prilikom testiranja
naprava za eksploataciju u kosmosu).
Cilj ovog rada je primena specifične metodologije kojom se preciznije
prati uticaj jonizujućeg zračenja na karakteristike MOSFET komponente.
Specifičnost metodologije se ogleda u tome da pored toga što se određuje
zavisnost promene napona praga od eksperimentalno određene apsorbovane
doze u MOSFET-u koji se nalazi u polju jonizujućeg zračenja, uvode se i Monte
Karlo proračuni veličina od kojih zavise dozimetrijski parametri MOSFET
strukture i sagledava se njihova veza sa rezultatima eksperimenta.
Jedan od predmeta istraživanja u disertaciji obuhvata eksperimentalni
rad na proučavanju izabranih parametara MOSFET komponente kojima se
može sprovoditi dozimetrija u poljima jonizujućih zračenja. Eksperimenti su
obuhvatili određivanje zavisnosti napona praga VT i promene napona praga
ΔVT od ukupne apsorbovane doze zračenja za slučajeve različitih
poluprovodničkih, strukturnih i konstrukcionih karakteristika izabranih
komercijalnih MOSFET komponenti, što se postiže promenama u debljini
oksida gejta, u dopiranosti poluprovodničke osnove, u različitoj vrsti
poluprovodničkog materijala, u prisustvu slojeva za pasivizaciju, u dužini i
širini kanala između sorsa i drejna, u naponu napajanja gejta u toku zračenja...
Abstract (en)
The results of scientific research show that ionizing radiation can lead to
functional or permanent damage of semiconductive devices of various types in
extreme operating conditions (in the environment of a nuclear reactor,
accelerator installation, nuclear explosion, or when testing the devices for
exploitation in the cosmos).
The aim of this study is to establish a specific methodology for more
accurate monitoring of the impact of ionizing radiation on the characteristics of
the MOSFET component. The specificity of this methodology is reflected in the
fact that besides the determination of the dependence of the change in the
threshold voltage of the experimentally determined absorbed dose in the
MOSFET, which is located in the field of ionizing radiation, there is also the
introduction of the Monte Carlo size calculations which the dosimetric
parameters of MOSFET structure depend on and the examination of their
connection with the results of the experiment. One of the objects of research in
the thesis includes experimental work on studying the selected parameters of
the MOSFET component in the fields of ionizing radiation. The experiments
included the determination of the dependence of the threshold voltage VT and
the changes in the threshold voltage ΔVT on the total absorbed dose of radiation
for various semiconductor, structural and constructional characteristics, of
selected MOSFET components which is achieved by changing the thickness of
the gate oxide, the level of doping the semiconductor base, by using a different
type of semiconductor material, the presence of passivation layers, the length
and width of the channel between the source and the drain, the voltage of the
power supply for the gate during the radiation...
Authors Key words
Poluprovodnički dozimetar, MOS tranzistor, Monte Karlo
simulacija, jonizujuće zračenje
Authors Key words
Semiconductive dosimeter, MOS transistor, Monte Carlo
simulation, ionizing radiation
Type
Tekst
Abstract (sr)
Rezultati naučnih istraživanja pokazuju da jonizujuće zračenje može
dovesti do funkcionalnog ili trajnog oštećenja poluprovodničkih naprava
različitog tipa u ekstremnim radnim uslovima (u okruženju nuklearnog
reaktora, akceleratorske instalacije, nuklearne eksplozije ili prilikom testiranja
naprava za eksploataciju u kosmosu).
Cilj ovog rada je primena specifične metodologije kojom se preciznije
prati uticaj jonizujućeg zračenja na karakteristike MOSFET komponente.
Specifičnost metodologije se ogleda u tome da pored toga što se određuje
zavisnost promene napona praga od eksperimentalno određene apsorbovane
doze u MOSFET-u koji se nalazi u polju jonizujućeg zračenja, uvode se i Monte
Karlo proračuni veličina od kojih zavise dozimetrijski parametri MOSFET
strukture i sagledava se njihova veza sa rezultatima eksperimenta.
Jedan od predmeta istraživanja u disertaciji obuhvata eksperimentalni
rad na proučavanju izabranih parametara MOSFET komponente kojima se
može sprovoditi dozimetrija u poljima jonizujućih zračenja. Eksperimenti su
obuhvatili određivanje zavisnosti napona praga VT i promene napona praga
ΔVT od ukupne apsorbovane doze zračenja za slučajeve različitih
poluprovodničkih, strukturnih i konstrukcionih karakteristika izabranih
komercijalnih MOSFET komponenti, što se postiže promenama u debljini
oksida gejta, u dopiranosti poluprovodničke osnove, u različitoj vrsti
poluprovodničkog materijala, u prisustvu slojeva za pasivizaciju, u dužini i
širini kanala između sorsa i drejna, u naponu napajanja gejta u toku zračenja...
“Data exchange” service offers individual users metadata transfer in several different formats. Citation formats are offered for transfers in texts as for the transfer into internet pages. Citation formats include permanent links that guarantee access to cited sources. For use are commonly structured metadata schemes : Dublin Core xml and ETUB-MS xml, local adaptation of international ETD-MS scheme intended for use in academic documents.