Title
Uticaj mehaničke deformacije na bipolarne poluprovodničke naprave
Creator
Đurić, Zoran G. 1941-
Copyright date
1971
Object Links
Select license
Autorstvo-Nekomercijalno-Bez prerade 3.0 Srbija (CC BY-NC-ND 3.0)
License description
Dozvoljavate samo preuzimanje i distribuciju dela, ako/dok se pravilno naznačava ime autora, bez ikakvih promena dela i bez prava komercijalnog korišćenja dela. Ova licenca je najstroža CC licenca. Osnovni opis Licence: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/rs/deed.sr_LATN. Sadržaj ugovora u celini: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/rs/legalcode.sr-Latn
Language
Serbian
Cobiss-ID
Theses Type
Doktorska disertacija
description
Datum odbrane: 18.03.1972.
Academic Expertise
Tehničko-tehnološke nauke
University
Univerzitet u Beogradu
Faculty
Elektrotehnički fakultet
Alternative title
The Influence of Mechanical Deformation on Some Characteristics of Bipolar Semiconductor Devices
Publisher
[Z. G. Đurić]
Format
PDF/A (123 lista)
description
Elektronika - poluprovodnici / Electronics - semiconductors
Abstract (sr)
Rad je posvećen proučavanju elektronskih karakteristika germanijuma i silicijuma i bipolarnih poluprovodni čkih naprava podvrgnutih elastičnoj mehaničkoj deformaciji.
Cilj prve dve glave ovog rada bio je da formuliše opštu teoriju pomoću koje bi se mogli razmatrati fenomeni prenosa naelektrisanja kod poluprovoclnika i problemi injekcije manjinskih nosilaca kod bipolarnih poluprovodničkih naprava, podvrgnutih deformaciji koja je nastala spoljašnjom primenom sile ili je poslediea mehaničkih napona uvedenih u toku tehnoloških procesa njihovog dobijanja. Pri formulaciji ove teorije korišćen je model deformacionog potencijala i Kroemerov dokaz egzistencije kvazielektričnih sila u nehomogenim poluprovodnicima.
Tako razvijena teorija primenjena je u trećoj glavi, na proučavanje uticaja nehomogene deformacije na statičke karakteristike bipolarnih poluprovodničkih naprava. Posebna pažnja posvećena je smanjenju pojačanja tranzistora, pod uticajem lokalizovane, spolja primenjene deformacije i deformacije nastale pri difuziji visokih koncentracija primesa u emiteru.
Pri razmatranju problema smanjenja pojačanja pod uticajem lokalizovane deformacije, bilo je potrebno da se pored teorije razvijene u prve dve glave razmotri i uticaj efekta „visoke injekcije“ u deformisanoj oblasti. Ovi uslovi nastaju pri dovoljno velikim kompresionim deformacijama, pošto su injektovane struje manjinskih nosilaca, eksponencijalno povezane sa mehaničkim naponima u toj oblasti. Ovde dato razmatranje, pretstavlja proširenje našeg ranije objavljenog rada, s tim što su pored naših eksperimentalnih rezultata za silicijumske tranzistore uključeni i novi eksperimentalni rezultati Sirkina i Feokistove koji pokazuju da se navedena teorija može sasvim dobro primeniti i na germanijumske i na silicijumske tranzistore. Osim tog, ovde je data teorija i eksperimentalni rezultati otkrivenog efekta povećanja probojnog napona kolektor-emiter usled primene lokalizovane deformacije na emiter planarnog tranzistora.
Praktičan značaj proučavanja uticaja lokalizovane deformacije na pojačanje tranzistora sa uzemljenim emitorom povezan je sa činjenicom da je ovaj efekat najčešće korišćen pri konstrukciji pretvarača pritiska poznatih pod nazivom „Pitran“, poluprovodničkih mikrofona itd.
Proučavanje uticaja mehaničkih napona nastalih u toku tehnoloških procesa izrade bipolarnih poluprovodničkih naprava na njihove karakteristike, inspirisano je ranije eksperimentalno ustanovljenom činjenicom da se pojačanje tranzistora sa uzemljenim emiterom smanjuje pri povećanju koncentracije primesa kojima se dopinguju emiter i baza. Ovaj efekat, kao i efekti anomalne difuzije bora i fosfora i silicijum predstavljaju ograničenje daljeg razvoja visokofrekventnih silicijumskih tranzistora, jer se pri njihovoj fabrikaciji, radi postizanja visokih graničnih frekvencija koriste visoke koncentracije primesa. Mada se razmatranje ovog efekta komplikuje činjenicom da je pri analizi potrebno koristiti nedovoljno razvijenu teoriju p-n spojeva, formiranih od degenerisanih poluprovodnika, i uračunati efekat politropije primesa, mi smo pokazali da se pomoću teorije razvijene u prve dve glave ovog rada, mogu kvalitativno, a u nekim slučajevima i kvantitativno objasniti navedeni efekti. Kraj treće glave posvećen je teoriji anomalnih ili kooperativnih efekata difuzije. Mi smatramo, da je teorija data u prvom delu ovog rada ovde našla jednu od najpotpunijih primena
Authors Key words
poluprovodnici, mehanička deformacija, germanijum, silicijum
Authors Key words
semiconductors, mechanical deformation, germanium, silicon
Classification
621.382(043.3)
Subject
Poluprovodnički elementi
Type
Tekst
Abstract (sr)
Rad je posvećen proučavanju elektronskih karakteristika germanijuma i silicijuma i bipolarnih poluprovodni čkih naprava podvrgnutih elastičnoj mehaničkoj deformaciji.
Cilj prve dve glave ovog rada bio je da formuliše opštu teoriju pomoću koje bi se mogli razmatrati fenomeni prenosa naelektrisanja kod poluprovoclnika i problemi injekcije manjinskih nosilaca kod bipolarnih poluprovodničkih naprava, podvrgnutih deformaciji koja je nastala spoljašnjom primenom sile ili je poslediea mehaničkih napona uvedenih u toku tehnoloških procesa njihovog dobijanja. Pri formulaciji ove teorije korišćen je model deformacionog potencijala i Kroemerov dokaz egzistencije kvazielektričnih sila u nehomogenim poluprovodnicima.
Tako razvijena teorija primenjena je u trećoj glavi, na proučavanje uticaja nehomogene deformacije na statičke karakteristike bipolarnih poluprovodničkih naprava. Posebna pažnja posvećena je smanjenju pojačanja tranzistora, pod uticajem lokalizovane, spolja primenjene deformacije i deformacije nastale pri difuziji visokih koncentracija primesa u emiteru.
Pri razmatranju problema smanjenja pojačanja pod uticajem lokalizovane deformacije, bilo je potrebno da se pored teorije razvijene u prve dve glave razmotri i uticaj efekta „visoke injekcije“ u deformisanoj oblasti. Ovi uslovi nastaju pri dovoljno velikim kompresionim deformacijama, pošto su injektovane struje manjinskih nosilaca, eksponencijalno povezane sa mehaničkim naponima u toj oblasti. Ovde dato razmatranje, pretstavlja proširenje našeg ranije objavljenog rada, s tim što su pored naših eksperimentalnih rezultata za silicijumske tranzistore uključeni i novi eksperimentalni rezultati Sirkina i Feokistove koji pokazuju da se navedena teorija može sasvim dobro primeniti i na germanijumske i na silicijumske tranzistore. Osim tog, ovde je data teorija i eksperimentalni rezultati otkrivenog efekta povećanja probojnog napona kolektor-emiter usled primene lokalizovane deformacije na emiter planarnog tranzistora.
Praktičan značaj proučavanja uticaja lokalizovane deformacije na pojačanje tranzistora sa uzemljenim emitorom povezan je sa činjenicom da je ovaj efekat najčešće korišćen pri konstrukciji pretvarača pritiska poznatih pod nazivom „Pitran“, poluprovodničkih mikrofona itd.
Proučavanje uticaja mehaničkih napona nastalih u toku tehnoloških procesa izrade bipolarnih poluprovodničkih naprava na njihove karakteristike, inspirisano je ranije eksperimentalno ustanovljenom činjenicom da se pojačanje tranzistora sa uzemljenim emiterom smanjuje pri povećanju koncentracije primesa kojima se dopinguju emiter i baza. Ovaj efekat, kao i efekti anomalne difuzije bora i fosfora i silicijum predstavljaju ograničenje daljeg razvoja visokofrekventnih silicijumskih tranzistora, jer se pri njihovoj fabrikaciji, radi postizanja visokih graničnih frekvencija koriste visoke koncentracije primesa. Mada se razmatranje ovog efekta komplikuje činjenicom da je pri analizi potrebno koristiti nedovoljno razvijenu teoriju p-n spojeva, formiranih od degenerisanih poluprovodnika, i uračunati efekat politropije primesa, mi smo pokazali da se pomoću teorije razvijene u prve dve glave ovog rada, mogu kvalitativno, a u nekim slučajevima i kvantitativno objasniti navedeni efekti. Kraj treće glave posvećen je teoriji anomalnih ili kooperativnih efekata difuzije. Mi smatramo, da je teorija data u prvom delu ovog rada ovde našla jednu od najpotpunijih primena
“Data exchange” service offers individual users metadata transfer in several different formats. Citation formats are offered for transfers in texts as for the transfer into internet pages. Citation formats include permanent links that guarantee access to cited sources. For use are commonly structured metadata schemes : Dublin Core xml and ETUB-MS xml, local adaptation of international ETD-MS scheme intended for use in academic documents.